경제

Micron Technology (MU) 2025 회계연도 1분기(FQ1 2025) 실적 발표 자료 분석 및 Q&A

김응지 2024. 12. 19. 10:33
728x90
반응형

주요 실적 및 성과

  1. FQ1 2025 실적
    • 매출 : 87억 달러로 전분기 대비 12%, 전년 동기 대비 84% 증가
    • DRAM 매출 : 64억 달러(총 매출의 73%)로 전분기 대비 20% 증가
    • NAND 매출 : 22억 달러(총 매출의 26%)로 전분기 대비 5% 감소
    • 비트 출하량: DRAM과 NAND 모두 전분기 대비 감소
    • 영업이익률: 39.5%(Non-GAAP)
  2. HBM 및 데이터 센터
    • 데이터 센터 DRAM(HBM 포함) 수익이 급증하며 기록적인 매출 달성
    • HBM 매출은 전분기 대비 2배 이상 증가했으며, 2025년 HBM 관련 매출이 수십억 달러에 이를 것으로 기대
    • NVIDIA의 Blackwell 플랫폼과 협업하여 고성능 HBM3E를 제공
  3. AI 관련 성장
    • AI 워크로드 증가에 따라 고대역폭 메모리 및 대용량 저장장치 수요 증가
    • AI 응용 프로그램의 메모리 집약적 특성을 활용해 시장 점유율 확대 계획
  4. 사업 부문별 성과
    • 컴퓨팅 및 네트워킹(CNBU): 44억 달러로 전분기 대비 46% 증가
    • 모바일(MBU): 15억 달러로 전분기 대비 19% 감소
    • 스토리지(SBU): 17억 달러로 전분기 대비 3% 증가
    • 임베디드(EBU): 11억 달러로 전분기 대비 10% 감소
  5. 자본 투자 및 유동성
    • FQ1 2025 말 기준 유동성은 112억 달러
    • FY2025 자본 지출 계획은 140억 달러로 설정, HBM 및 DRAM 제조 시설에 중점 투자

 

향후 전망 및 전략

  1. HBM 시장
    • 2025년 HBM 시장 규모는 300억 달러를 초과할 것으로 예상되며, Micron의 제품은 이미 2025년까지 전량 매진 상태
  2. AI 성장 기회
    • AI 애플리케이션 증가에 따른 DRAM 및 NAND 수요 확대
    • Micron의 기술적 우위를 활용하여 고성능 제품 제공 계획
  3. 공급망 관리
    • NAND 공급 조정 및 기술 전환 속도 조절
    • 중국 공급업체 경쟁과 관련해 고성능 제품 중심으로 시장 점유율 유지
  4. 자동차 및 모바일
    • 자동차 부문은 ADAS 및 AI 기반 메모리 수요 증가 예상
    • 스마트폰 시장의 DRAM 컨텐츠 증가 지속

 

2분기 가이던스

  • 매출 : 79억 달러(±2억 달러)
  • 영업이익률 : 38.5%(±1.0%p)
  • 영업비용: 11억 달러(±1,500만 달러)
  • EPS: 1.43달러(±0.10달러)

 

Q&A

 

Q: 5월 분기쯤 되면 DRAM이나 NAND 쪽에서 계절적인 반등이나 순환적인 회복이 있을 거라 확신하신 듯한데, 그 근거가 뭔가요?

A: 봄까지 소비자 시장 재고가 개선될 것으로 보고 있어요. 스마트폰이랑 PC 쪽 실제 판매는 양호한데, 고객사들은 판매량보다 적게 구매 중이라 재고를 소진하고 있거든요. 이미 CQ4(분기)에 재고 개선이 있었고 CQ1에도 추가 개선이 예상됩니다. AI 수요 증가로 하반기 데이터센터 SSD 회복도 기대하고 있어요.

Q: FQ2 가이던스(2분기 전망)에서 NAND 가동률 저하 영향이랑 HBM 매출 비중 증가 효과는 어떻게 상쇄되나요?

A: FQ2에서 약 100bp 이익률 하락 NAND 시장 약세와 데이터센터 SSD 수요 둔화 때문입니다. NAND 가동률 저하비용은 FQ3부터 반영될 예정이라 지금 당장 부담은 덜하죠. HBM과 데이터센터 DRAM의 긍정적 영향은 지속될 거라 전체 밸런스는 유지될 겁니다.

Q: 하반기 매출 성장 규모 추정치는?

A: 구체적 숫자는 어렵지만, 소비자 시장 재고 개선, 데이터센터 SSD 수요 회복, HBM 모멘텀 강화가 하반기 성장을 견인할 주요 포인트입니다.

Q: CHIPS Act 관련 자사주 매입 제한에 대한 생각은?

A: 배당금 지급 제한은 없고, 처음 2년은 주식 보상 희석 상쇄 수준 자사주 매입 가능합니다. 이후 3~5년차에는 R&D·설비투자 조건 충족 시 제한 없이 가능해요.

Q: HBM 시장규모(TAM) 상향과 점유율 목표 달성 시기 지연 배경은?

A: AI 데이터센터 수요 증가로 2025년 TAM을 300억 달러 이상으로 봤습니다. 생산능력과 수율이 예상을 상회해 2025년 하반기에 DRAM 시장점유율 수준 달성이 목표입니다.

Q: 중국 업체들의 DDR5, LP5 시장 진입 가능성과 대응 전략은?

A: LP4, DDR4 비중을 2025년 회계연도 말까지 10% 수준으로 낮출 계획이라 저사양 제품 의존도가 줄어듭니다. 중국 업체 경쟁은 주로 내수·저사양에 국한되고, 우리는 데이터센터용 고성능 제품 중심이라 기술·품질 우위를 통한 프리미엄 시장 장악이 가능할 겁니다.

Q: HLC(High Capacity Enterprise SSD)가 HDD를 빨리 대체할 거라 하셨는데, 이유가 뭔가요?

A: TCO 관점에서 SSD 우위가 점점 커지고 있어요. 성능, 전력효율, 공간활용 모두 SSD가 유리하죠. AI 워크로드 증가로 데이터센터 SSD 수요 급증하고, 2027년 이후 HDD 대체 본격화를 예상합니다.

Q: HBM 시장에서 장기 점유율 목표는?

A: 2025년 하반기에 DRAM 수준의 점유율 달성이 목표입니다. 이미 두 번째 대형 고객사 납품 중이고, 2025년 1분기 세 번째 대형 고객사에도 공급할 예정이에요. HBM3E 성능·효율 우위로 프리미엄 가격 확보 중이며, HBM4·HBM4E로 리더십 강화를 노리고 있습니다.

Q: 공급-수요 균형이 맞춰지면 DRAM 시장은 어떻게 되나요?

A: 선단공정 DRAM 공급 타이트, HBM·LP5·DDR5 같은 고성능 수요 증가, AI 가속화로 데이터센터 수요 탄탄해 건전한 수요-공급 균형이 유지될 전망입니다.

Q: 비선단공정 DRAM 시장 회복 가능성은?

A: 수요 맞춤 생산 조정 점진적 선단공정 비중 확대, 신중한 자본투자로 시장 균형을 유지해나갈 겁니다.

Q: HLC SSD 시장규모 및 데이터센터 조달 변화는?

A: HLC SSD는 TCO 매력적이고 AI 워크로드 증가로 수요 늘어날 전망입니다. 지금은 재고조정 중이지만 2025년 하반기 회복, 2027년 이후 HDD 대체 본격화를 기대합니다.

Q: NAND 시장 균형 달성 시기와 감산 규모는?

A: 웨이퍼 생산량 중간 10%대 감축, 노드전환 속도 조절로 2025년 하반기 수급 균형 달성을 목표합니다. 특히 데이터센터 SSD 수요 회복이 핵심 변수죠.

Q: PC·모바일 재고조정 속도와 정상화 시점은?

A: 고객사 판매는 괜찮지만 구매량이 적습니다. 2025년 봄까지 재고조정 마무리, 하반기엔 AI PC·프리미엄 스마트폰으로 출하량 회복 전망합니다.

Q: HBM 매출 성장 주요 동인, 수율·용량 확대 계획은?

A: HBM3E 8H·12H 수율이 기대 이상이고, 2025년 여러 대형 고객사 공급 본격화, 2027년 싱가포르 패키징 시설 가동으로 용량 확대·매출 성장을 지원합니다.

Q: DRAM·NAND 장기 수요 전망은?

A: DRAM은 AI 수요로 연간 중간 10%대 성장, NAND는 저조한 성장세지만 2027년 이후 HDD 대체 수요로 다시 활기를 띨 전망입니다.

Q: NAND 수급 균형 달성 시점은?

A: 2025년 하반기 균형을 예상합니다. 웨이퍼 감산, 기술 전환 조절, SSD 수요 회복이 결합되면 가능합니다.

Q: 데이터센터 고객들의 SSD 구매 패턴 변화?

A: 최근 급증 후 조정 중이지만, AI 워크로드 증가로 성능·전력효율 요구 확대, 2025년 하반기 수요 회복이 예상됩니다.

Q: HBM3E 12H 수율, 생산능력 확대 계획은?

A: 수율이 예상보다 양호하고, 2027년 싱가포르 시설 가동으로 생산능력 확대, 다수 고객사 확보로 매출 성장 지속 예상합니다.

Q: NAND 사업 장기 전망은?

A: 2027년 이후 HDD 대체 수요 본격화로 NAND 시장의 건전한 장기 성장 전망합니다.

Q: AI 데이터센터 수요는 HBM 대비 HLC SSD에 어떤 영향?

A: AI 워크로드는 메모리 대역폭(HBM)과 대용량 스토리지(HLC SSD) 모두 필수, 두 제품이 상호 보완적 역할로 AI 인프라에 핵심이 될 겁니다.

Q: NAND 균형 맞추기 위한 추가 조치는?

A: 웨이퍼 중간 10%대 감산, 기술 전환 조절, 싱가포르 패키징 시설 확보로 2025년 하반기 균형 달성 가능합니다.

Q: HBM4·HBM4E 차별점은?

A: HBM4는 HBM3E 대비 50% 이상 성능 향상 목표, 2026년 본격 양산. HBM4E는 TSMC 첨단 로직 공정 활용 맞춤형 로직 다이 제공으로 메모리 산업 패러다임 혁신 기대, 수익성 개선 전망.

 

728x90
반응형